삼성전자, ‘5세대 V낸드’ 양산…메모리 기술 격차 벌린다

4세대 V낸드보다 1.4배 빠른 데이터 전송 속도

가 +
가 -

삼성전자 ‘5세대 V낸드’

삼성전자가 ‘5세대 V낸드’ 양산을 시작하며 메모리 기술 격차를 벌리기에 나섰다. 반도체 사업 중 고부가 가치 시장으로 평가받는 낸드플래시 메모리 분야에서 삼성전자가 선두 업체로서 입지 굳히기에 나선 셈이다.

삼성전자는 7월10일 세계 최초로 ‘256Gb 5세대 V낸드’를 본격 양산한다고 밝혔다. 5세대 V낸드는 차세대 낸드 인터페이스 ‘Toggle(토글) DDR 4.0 규격’을 처음 적용한 제품으로 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드보다 1.4배 빠르다. 이번 양산을 통해 SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사보다 6개월에서 2년 수준의 기술 격차를 벌린 것으로 삼성전자는 평가한다. 낸드플래시 메모리는 전원이 끊겨도 데이터를 보존하는 비휘발성 메모리로 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버부터 스마트폰 등의 휴대기기까지 널리 사용된다.

삼성전자는 5세대 V낸드에 세계 최고 수준의 적층기술을 적용했다고 밝혔다. 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 가장 위부터 아래까지 수직으로 수백나노미터(nm) 직경의 미세한 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 ‘3차원(원통형) CTF 셀(CELL)’을 850억개 이상 형성하는 기술이 적용됐다.

5세대 V낸드에는 삼성전자가 독자 개발한 3대 혁신기술이 들어갔다. ▲초고속·저전압 동작 회로 설계 기술 ▲고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술 ▲텅스텐 원자층박막 공정 기술 등을 통해 제품 성능과 생산성을 높였다.

삼성전자는 5세대 V낸드의 생산 비중을 늘려 슈퍼컴퓨터부터 기업용 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트렌드를 지속 주도해 나갈 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장 경계현 부사장은 “5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다”라며 “향후 1Tb와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것”이라고 밝혔다.

네티즌의견(총 0개)