삼성전자, DDR5 메모리 ‘EUV’ 공정 적용

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삼성전자가 D램에 극자외선(Extreme Ultra Violet·EUV) 공정을 적용한 양산 체제를 갖췄다. 삼성전자는 3월25일 EUV 공정에서 생산한 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개를 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다.

회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄여 패터닝 정확도를 높이는 EUV 공정은 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다. EUV 공정의 4세대 10나노급(1a) D램은 12인치 웨이퍼당 생산성이 1세대 10나노급(1x) D램 대비 2배 높다. 경쟁사 대비 파격적인 가격 설정이 가능하다는 의미다.

삼성전자는 현재 개발 중인 EUV 공정의 10나노급(1a) D램 양산 기술을 차세대 D램 DDR5 생산에 적용한다는 계획이다. 내년 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동한다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”라며 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 밝혔다.

올해 D램 시장은 코로나19 여파로 재택근무 등 원격서비스 활성화로 서버 시장 확대가 예상되면서 반등할 것으로 기대된다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자는 지난해 3분기 전세계 D램 시장에서 매출 기준 점유율 44.4%를 기록하며 1위에 올랐다.

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