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인텔-마이크론, 서브 40나노 낸드 플래시 메모리 기기 발표

2008.05.30

인텔과 마이크론테크놀로지는 서브 40 나노 낸드(NAND) 메모리 기기를 발표하고, 34나노 32기가바이트 멀티레벨 셀(multi-level cell: MLC) 칩을 선보였다.


싱글 32기가바이트 칩에 2천개가 넘는 고해상 디지털 사진을 저장하거나 개인용 뮤직 플레이어에 최대 1천개의 노래를 담을 수 있다. 또 2개의 8다이 스택 패키지가 디지털 캠코더에서 고해상 비디오를 어디서나 8시간에서 40시간 정도 녹화할 수 있을 만큼의 64기가바이트 스토리지라는 높은 용량을 제공한다.

이 공정 기술은 인텔과 마이크론이 공동 개발했으며 양사의 낸드 플래시 합작회사인 IM 플래시 테크놀로지스(IM Flash Technologies : IMFT)가 생산했다. 이 칩은 현재 시장에서 가장 작은 낸드 공정 구조를 가지고 있다.

32기가바이트 낸드 칩은 일반적인 48리드(lead) TSOP(thin small outline package)에 맞는 밀도를 구현하는 유일한 집적 회로 제품이며, 기존 애플리케이션의 집적도를 비용 효율적으로 높이게 된다. 고객용 샘플 공급은 6월에 시작되며 대량 생산은 올해 하반기로 예정돼 있다.

마이크론 메모리 그룹의 브라이언 셜리(Brian Shirley) 부사장은 “이 새로운 32기가바이트 기기는 업계에서 이용 가능한 최고의 비트 스토리지 집적도를 제공한다”라며, “인텔의 파트너들과 함께 제조 공정 기술 부문을 선도하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”라고 말했다.

인텔 낸드 제품 그룹의 피트 하젠(Pete Hazen) 마케팅 이사는 “34나노 공정 기술 적용으로  IMFT가 급속히 발전시킬 수 있게 됐다”라며, “컴퓨팅 플랫폼에서의 SSD 솔루션 채택이 가속화될 것”이라고 말했다.

34나노 32기가바이트 칩들은 300밀리미터 웨이퍼에서 제조될 예정이며, 각각에서 약 1.6테라바이트 낸드가 생산된다. 크기가 사람의 손톱보다 작은 172mm² 인 34나노 32기가바이트 칩은 소형 애플리케이션에서 고집적 솔리드 스테이트 스토리지(solid-state storage)를 비용 효율적으로 구현하게 된다.

34나노 32기가바이트 칩은 솔리드 스테이트 디바이스(SSD)들을 염두에 두고 개발됐다. 이 칩은 SSD의 현재 스토리지 용량을 즉시 두 배 증가시키고 더욱 작아진 1.8인치 기기에서 오늘날의 표준인 256GB를 상회하는 성능을 구현함으로써, 더욱 비용 효율적이다. SSD는 하드 디스크 드라이브 대비 저전력, 부팅 시간 단축, 신뢰성 향상, 성능 증진, 소음 감소를 특징으로 하며, 노트북 컴퓨터를 위한 새로운 스토리지 매체로 자리잡고 있다.

34나노 낸드 공정을 비롯한 낸드 공정 기술의 혁신과 함께, SSD는 현재 시장의 요구 사항을 충족시킬 수 있는 성능을 제공한다.

인텔과 마이크론은 34나노 아키텍처를 기반으로 더 낮은 집적도의 멀티 레벨 셀(MLC)제품들을 올해 말까지 출시할 계획이며, 여기에는 싱글 레벨 셀(SLC) 제품도 포함된다.

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