인텔·­­­­­­­­­­­­­­마이크론, 20nm 플래시 메모리 공정 공개

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플래시 메모리 공정이 20나노미터(nm)까지 떨어졌다. 인텔과 마이크론이 4월15일 20nm 크기의 플래시 메모리 생산공정을 공개했다. 2010년 1월, 인텔과 마이크론이 플래시 메모리 생산 공정을 25nm로 줄인 후 15개월 만이다.

20nm 공정이 적용된 새로운 플래시 메모리는 2006년 인텔과 마이크론이 공동으로 설립한 플래시 메모리 제조회사 IM플래시테크놀로지에서 생산된다. 새로운 20nm 공정 생산설비에서는 스마트폰이나 태블릿 PC, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등 모바일 기기나 기타 소형 컴퓨터 부품에 들어가는 멀티 레벨 셀(MLC) 낸드플래시 메모리를 생산할 계획이다.

공정 크기를 줄이며 플래시 메모리 기판 크기도 줄였다. 가로·세로 118mm다. 8GB 플래시 메모리를 기준으로 20nm 공정에서 생산하는 플래시 메모리는 기존 25nm 공정 플래시 메모리보다 30~40% 가량 기판 크기를 줄일 수 있게 됐다.

저장공간 수용 능력도 높였다. 25nm 공정에서 생산한 플래시 메모리 보다 50% 이상 많은 용량을 제공할 수 있다는 게 인텔쪽 설명이다. 스마트폰이나 태블릿 PC 같은 소형 모바일 기기에 탑재되면 기존 플래시 메모리를 사용할 때와 같은 용량을 제공하면서 플래시 메모리가 차지하는 공간을 줄일 수 있다. 남은 공간을 이용해 모바일 기기 화면 크기를 키우거나 배터리 용량을 늘릴 수 있게 된다. 같은 크기의 반도체 웨이퍼에서 얻을 수 있는 메모리 개수도 늘어나 가격도 낮아진다.

톰 램폰 인텔 비휘발성 메모리 솔루션그룹 부사장은 “이 같은 혁신을 통해 사용자들에게 더 좋은 제품을 제공할 수 있을 것”이라며 “인텔과 마이크론의 목적은 빠르고, 정확하게 정보에 접속할 수 있도록 하는 것”이라고 말했다.

지난 3월 출시된 인텔 3세대 SSD 320 시리즈는 25nm 공정에서 생산한 플래시 메모리를 사용한다. OCZ, G스킬(G-Skill) 등 대부분의 SSD 제조회사들도 25nm 공정에서 34nm 공정이 적용된 플래시 메모리를 사용하고 있다. 20nm 공정에서 생산한 플래시 메모리가 실제 제품에 적용되는 시점은 아직 알려지지 않았다.

인텔과 마이크론은 20nm 공정이 적용된 8GB 플래시 메모리를 시범 생산하기 시작했다. 인텔은 올해 후반기에 양산체제로 전환할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

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