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도시바·샌디스크, 19nm 플래시 메모리 공정으로 인텔과 경쟁

2011.04.25

도시바와 샌디스크가 19nm 공정의 플래시 메모리 생산 설비를 현지시각으로 4월22일 공개했다. 지난 4월15일, 인텔과 마이크론이 20nm 공정 플래시 메모리 생산 설비를 공개한 바 있는데, 인텔·마이크론과 도시바·샌디스크의 플래시 메모리 기술 경쟁이 흥미롭다.

메모리 산업에서 공정의 크기는 기업의 수익과 직접적으로 연관된다. 공정의 크기가 작아질수록 같은 크기의 반도체 웨이퍼에서 더 많은 메모리를 얻을 수 있기 때문이다. 현재 도시바가 생산중인 24nm 공정을 19nm 공정으로 전환하면, 회로 면적을 약 25% 줄일수 있다는 게 도시바쪽 설명이다.

도시바와 샌디스크가 생산하는 19nm 공정의 새로운 플래시 메모리는 스마트폰이나 태블릿 PC 등 모바일 기기에 주로 탑재될 것으로 보인다. 현재 도시바는 애플 아이폰과 아이패드에 플래시 메모리를 공급하고 있다.

도시바와 샌디스크가 19nm 공정에서 생산하는 플래시 메모리는 ‘멀티 레벨 셀(MLC)’ 플래시 메모리로 셀당 2비트와 셀당 3비트 사양 두 종류를 생산할 예정이다. 셀당 비트 수가 높아지면 플래시 메모리의 크기를 11%가량 줄일 수 있다. 하지만, 읽기·쓰기 속도는 셀당 비트 수가 높아질수록 느려진다는 단점이 있다. 셀당 3비트 MLC 플래시 메모리는 USB 저장장치 등에 적용될 예정이고, 셀당 2비트 플래시 메모리는 모바일 기기의 주 저장장치로 사용될 예정이다.

도시바와 샌디스크는 현재 생산 중인 24nm 플래시 메모리 공정을 올해 3분기까지 19nm 공정으로 교체할 예정이다. 도시바와 샌디스크는 이번 분기에 64GB 용량의 샘플 제품을 생산할 예정이며, 올해 하반기에는 실제 제품을 출시할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

요람 세더 샌디스크 최고기술경영자(CTO)는 “도시바와 협력해 세계를 선도하는 기술력을 바탕으로 가장 값싸고 작은 19nm 공정 낸드플래시 메모리를 소개하게 돼 기쁘다”라고 말했다.

2010년 4분기, 플래시 메모리 시장 점유율 (출처 : 디램엑스첸인지)

한편, 메모리 관련 시장조사기관 디램익스체인지(DRAM eXchange)가 2011년 1월 발표한 자료를 보면, 2010년 4분기 플래시 메모리 시장에서 도시바는 삼성전자에 이어 2위를 기록하고 있다. 시장 점유율도 34.7%를 차지해 39.2%를 기록한 삼성전자를 바짝 뒤쫓고 있다. 마이크론은 11.2% 시장을 가져가며 3위를 기록했고, 인텔은 5.9%의 시장을 차지하는데 그쳐 5위에 머물렀다.

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