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SK하이닉스

차세대 '상변화 메모리', 어떤 기술?

차세대 메모리 기술로 주목받고 있는 '상변화 메모리(Phase-Change Memory)' 기술에 속도를 더할 수 있는 방법이 소개됐다. 미국 과학잡지 사이언스지는 케임브리지 대학교 연구팀의 제안이 상변화 메모리 기술이 가진 속도의 한계를 깰 수 있을 것이라고 전했다. 원래 메모리에 디지털 정보를 읽고 쓰는 방식은 수많은 트랜지스터에서 일어나는 전자의 흐름과 관련이 깊다. 특정 전압 이상에서만 전류가 흐르는 성질을 이용한 반도체의 기본 원리를 생각하면 된다. 상변화 메모리는 저장매체 물질의 형태를 바꿔 정보를 저장하는 방식이다. 실리콘의 반도체적 특성을 이용하는 기존 메모리 기술과 다르다는 뜻이다. 상변화 메모리 기술은 물질을 비정질일 때와 결정질일 때로 나눠 디지털 정보를 저장한다. 비정질 상태에서 결정질로 바뀔 때는 정보가 저장되고, 다시 비정질 상태로 녹을 때는 정보가 지워지는...

DDR4

차세대 메모리 'DDR4' 양산 코앞

2013년이면 PC에서 차세대 메모리를 이용할 수 있을 것으로 보인다. 2000MHz 주파수로 동작하는 DDR4 메모리 양산이 코앞에 다가왔다. DDR4 메모리의 표준 규격도 2012년 중반 결정될 예정이다. 국내 삼성전자와 하이닉스, 미국 마이크론 테크놀로지 등 메모리 업계는 이르면 올해 말부터 DDR4 메모리 양산을 시작할 수 있을 것으로 내다보고 있다. 미국 메모리 개발 생산업체 마이크론은 5월부터 차세대 DDR4 메모리 샘플을 생산하고 있다. 마이크론은 2013년 중으로 차세대 DDR4 메모리를 시장에 출시할 계획이다. DDR4 메모리의 규격은 현재 일반적으로 쓰이는 DDR3과 비교해 정보를 교환하는 속도가 빠르고 전력을 적게 쓴다는 점이 장점으로 꼽힌다. 마이크론의 DDR4 메모리는 최저 2133MHz 속도부터 구성된다. 현재 DDR3 메모리의 최고 동작 속도가 1600MHz 수준인...

cloud

주간 스토리지 소식[5/30~6/3]

마이크론 PCI익스프레스 기반의 SLC SSD 출시 마이크론 테크놀러지(Micron Technololgy, Inc.)가 PCI 익스프레스 기반의 SLC 타입 SSD를 출시했습니다. PCI 익스프레스 기반의 제품이 속속 나오면서 모노리틱 구조의 스토리지 사업을 위협하는 것은 아닌가 하는 생각이 들 정도입니다.  이번에 마이크론에서 나온 제품의 이름은 '리얼SSD P320h(RealSSD P320h)'입니다. 350GB와 700GB 두 가지 용량의 제품인데 경쟁사 대비 최고의 제품이라고 자랑하고 있습니다. 아래 성능 비교표는 마이크론의 홈페이지에 게시되어 있는 것인데, 경쟁사의 거의 모든 제품보다 IOPS가 2배 이상 높다고 합니다. 경쟁사의 제품들로는 텍사스메모리 램샌-70(TMS RamSan-70), 버리덴트 타키온(Virident TachION), 퓨전아이오 아이오드라이브 듀오(Fusion-io ioDrive Duo), LSI 와프드라이브(WarpDrive SLP-300) 등 인데, 제품의 이름이 공개되지 않은 상태로 단순히 경쟁사 A~E 이러한 형태로 게재되었습니다. 마이크론에 따르면 P320h은...

낸드플래시 메모리

도시바·샌디스크, 19nm 플래시 메모리 공정으로 인텔과 경쟁

도시바와 샌디스크가 19nm 공정의 플래시 메모리 생산 설비를 현지시각으로 4월22일 공개했다. 지난 4월15일, 인텔과 마이크론이 20nm 공정 플래시 메모리 생산 설비를 공개한 바 있는데, 인텔·마이크론과 도시바·샌디스크의 플래시 메모리 기술 경쟁이 흥미롭다. 메모리 산업에서 공정의 크기는 기업의 수익과 직접적으로 연관된다. 공정의 크기가 작아질수록 같은 크기의 반도체 웨이퍼에서 더 많은 메모리를 얻을 수 있기 때문이다. 현재 도시바가 생산중인 24nm 공정을 19nm 공정으로 전환하면, 회로 면적을 약 25% 줄일수 있다는 게 도시바쪽 설명이다. 도시바와 샌디스크가 생산하는 19nm 공정의 새로운 플래시 메모리는 스마트폰이나 태블릿 PC 등 모바일 기기에 주로 탑재될 것으로 보인다. 현재 도시바는 애플 아이폰과 아이패드에 플래시 메모리를 공급하고 있다. 도시바와 샌디스크가 19nm...

MLC

인텔·­­­­­­­­­­­­­­마이크론, 20nm 플래시 메모리 공정 공개

플래시 메모리 공정이 20나노미터(nm)까지 떨어졌다. 인텔과 마이크론이 4월15일 20nm 크기의 플래시 메모리 생산공정을 공개했다. 2010년 1월, 인텔과 마이크론이 플래시 메모리 생산 공정을 25nm로 줄인 후 15개월 만이다. 20nm 공정이 적용된 새로운 플래시 메모리는 2006년 인텔과 마이크론이 공동으로 설립한 플래시 메모리 제조회사 IM플래시테크놀로지에서 생산된다. 새로운 20nm 공정 생산설비에서는 스마트폰이나 태블릿 PC, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등 모바일 기기나 기타 소형 컴퓨터 부품에 들어가는 멀티 레벨 셀(MLC) 낸드플래시 메모리를 생산할 계획이다. 공정 크기를 줄이며 플래시 메모리 기판 크기도 줄였다. 가로·세로 118mm다. 8GB 플래시 메모리를 기준으로 20nm 공정에서 생산하는 플래시 메모리는 기존 25nm 공정 플래시 메모리보다 30~40% 가량 기판 크기를 줄일 수 있게 됐다....

NAND

SSD 성능 논란, 속도 저하는 필연? - 1부

  인텔(Intel)의 솔리드 스테이트 디스크(SSD) 드라이브가 심각한 성능저하를 일으킬 수 있는 단편화를 겪을 수 있다는 최근의 발표로 인해 모든 SSD가 시간 경과에 따라 사용하면서 속도가 느려지는지에 대해 질문에 제기되고 있다. 이 질문에 대한 답은 '그렇다'가 되겠다. 모든 드라이브 제조사가 그 점을 알고 있다. 그러면서도 속도가 얼마나 오래 유지되는지, 또는 어디까지 저하되는지 등에 대한 정보는 아직 제대로 알려지지 않은 상태다. 확신할 수 있는 점 한 가지는 방금 막 구입한 새로운 SSD는 처음 포장을 풀었을 때와 동일한 수준으로 계속 그 성능을 유지할 가능성은 없다는 사실이다. 시장에서 SSD의 급속한 전파를 이끌었던 것이 그 속도임을 감안할 때 이 점을 알아두는 것이 중요하다. "빈 SSD는 쓴...

SSD

인텔-마이크론, 서브 40나노 낸드 플래시 메모리 기기 발표

인텔과 마이크론테크놀로지는 서브 40 나노 낸드(NAND) 메모리 기기를 발표하고, 34나노 32기가바이트 멀티레벨 셀(multi-level cell: MLC) 칩을 선보였다. 싱글 32기가바이트 칩에 2천개가 넘는 고해상 디지털 사진을 저장하거나 개인용 뮤직 플레이어에 최대 1천개의 노래를 담을 수 있다. 또 2개의 8다이 스택 패키지가 디지털 캠코더에서 고해상 비디오를 어디서나 8시간에서 40시간 정도 녹화할 수 있을 만큼의 64기가바이트 스토리지라는 높은 용량을 제공한다.이 공정 기술은 인텔과 마이크론이 공동 개발했으며 양사의 낸드 플래시 합작회사인 IM 플래시 테크놀로지스(IM Flash Technologies : IMFT)가 생산했다. 이 칩은 현재 시장에서 가장 작은 낸드 공정 구조를 가지고 있다. 32기가바이트 낸드 칩은 일반적인 48리드(lead) TSOP(thin small outline package)에 맞는 밀도를 구현하는 유일한 집적...