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2단 3D-TSV 패키징

삼성전자, "'초격차' 12단 3D-TSV 패키징 성공"

기존 8단에서 12단 적층 기술 개발에 성공하며 패키지 기술 한계를 돌파했다는 평가다. 삼성전자가 10월7일 업계 최초로 '12단 3D-TSV(3차원 실리콘 관통전극)' 기술을 개발하고 패키징 기술에서도 초격차를 이어간다고 전했다. 12단 3D-TSV는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 20분의 1수준 굵기인 수 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로(TSV) 6만개를 만들어 오차 없이 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 삼성전자는 "종이(100㎛)의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 적층해 수직으로 연결하는 고도의 정밀성이 필요해 반도체 패키징 기술 중 가장 난이도가 높은 기술이다"라며 "3D-TSV는 기존 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 획기적으로 개선할 수 있다"라고 강조했다. 삼성전자는...