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인텔은 왜 다시 '메모리'를 꺼내들었을까

인텔이 지난 7월29일 스토리지용 메모리 기술을 공개했습니다. '3D크로스포인트’입니다. 가느다란 전선을 가로·세로로 배치하고, 그 사이에 메모리 셀을 배치하는 방식입니다. 낸드플래시가 정확한 셀에 접근하지 못하고 블록과 헤드 단위로 수십개 셀을 동시에 관리하면서 생기는 수명과 접근 속도 손실을 잡은 게 특징입니다. 기술은 참 복잡하고 아직 실제 제품이 어떻게 작동하는지 확인할 수는 없지만, 인텔은 확실한 차별점을 갖고 스토리지 시장에 본격적으로 뛰어들겠다는 의지를 확실히 비췄습니다. 발표 전의 분위기도 다른 때의 여유로움보다는 전반적인 긴장감까지 엿보였습니다. 그런데 말입니다. 프로세서 왕국인 인텔이 갑자기 왜 스토리지 관련 메모리 기술을 발표했을까요? 그 속내를 한번 짚어보려고 합니다. 인텔의 표면적인 이유는 “컴퓨터 속도의 발목을 잡는 저장장치의 속도를 개선하겠다”입니다. 그런데 꼭 그게 전부는...