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삼성전자, "용량 키우고 전력 소모 낮췄다" --- 4기가 DDR3 D램 개발

"용량은 키우고 전력은 최소량으로 소모한다." 삼성전자가 50나노급 공정 기술로 생산한 세계 최초 4기가비트 DDR3 D램을 한마디로 표현할 수 있는 말이다. 삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 가장 먼저 내놨다. 이로써 삼성전자가 보유한 50나노 D램 제품은 DDR3 4Gb, 2Gb, 1Gb, 512Mb와 DDR2 1Gb, 512Mb로 늘어나게 됐다. 삼성전자는 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었는데 이런 기술 우위를 지속적으로 가져갈 수 있게 됐다. 4기가비트 DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션과 데스크톱 PC용 8기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈...

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삼성전자, 50나노급 2기가 DDR3 업계 최초 인텔 인증 획득

삼성전자가 50나노급 2기가비트(Gb: Giga bit) DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 발표했다. 이번에 인증된 제품은 2기가비트(Gb) DDR3 D램 단품(x8)과 PC용 4기가바이트(GB: Giga Byte) UDIMM (Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다. 또한 서버용 8기가바이트(GB)/16기가바이트(GB) RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가 중으로, 내년 초에 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 전 제품의 인증이 완료될 예정이다. 50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품의 인텔 인증은 삼성전자가 유일하며, 이는 D램 업체 중 가장 앞선 것으로, 기술의 우수성과 제품력의 우위를 확실하게 보여 주는 것이다. 50나노급 2기가비트 DDR3는 '07년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1,333Mbps)의 속도를 구현하고, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존...

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삼성전자, 50나노 2기가 DDR3 최초 양산

삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Giga bit) DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산할 예정이다. 이에 따라 DDR2 제품이 주를 이루고 있던 고용량 D램 제품 시장을 DDR3제품이 빠른 속도로 대체해 나갈 것으로 전망된다. 50나노 2기가비트 DDR3는 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리) 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1,333Mbps)를 구현하며, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다. 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 '09년 29%, '11년 75% 규모로 성장하고, DDR3 D램 중 2기가비트 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 각각 '09년 3%, '11년 33%를 차지할 것으로 전망됐다. 삼성은...