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2세대 10나노급 모바일 D램

삼성, 2세대 10나노급 모바일 D램 양산

삼성전자가 2세대 10나노(nm)급 모바일 D램을 양산한다. 지난해 서버용 2세대 10nm급 D램을 양산한 지 8개월 만이다. 삼성전자는 지속해서 2세대 10nm급 공적을 적용한 제품군을 확대해 D램 시장의 수요에 대응할 계획이다. 삼성전자는 7월26일 업계 최초로 2세대 10nm급 공정을 적용한 '16Gb LPDDR4X 모바일 D램'을 양산한다고 밝혔다. 2세대 10nm급 16Gb LPDDR4X 모바일 D램은 기존 20nm급 4Gb LPDDR3 모바일 D램보다 속도와 생산성이 2배 향상됐다. 최신 플래그십에 탑재된 1세대 10nm급 16Gb LPDDR4와 비교해 동작속도(4266Mb/S)는 같지만, 소비전력량이 10% 절감돼 모바일 기기 배터리 시간을 늘릴 수 있다. 8GB LPDDR4X 모바일 D램 패키지에는 16Gb 칩 4개가 들어가며 초당 34.1GB의 데이터를 전송할 수 있다. 또 이전 세대와 비교해 패키지 두께가 20% 이상...

32GB D램

삼성전자, 고성능 게이밍 노트북용 '32GB D램 모듈' 양산

삼성전자가 지난 2014년 노트북용 16GB DDR4을 출시한 지 4년 만에 속도가 11% 향상된 32GB DDR4 모듈을 내놨다. 삼성전자가 노트북용 '10나노급 32GB DDR4 SoDIMM(Small outline Dual In-line Memory Module)’ 양산에 나섰다. 32GB DDR4 모듈은 최근 인기를 얻고 있는 고성능 게이밍 노트북용 제품이다. 최첨단 10나노급 16Gb(기가비트) DDR4 D램 칩이 모듈 전면과 후면에 각각 8개씩 총 16개 탑재됐으며, 게이밍 노트북에서 최대 속도 2666Mbps로 동작한다. 삼성전자 설명에 따르면 PC 업체는 이 제품을 사용하면 기존 노트북의 구조 변경 없이 ‘32GB DDR4 모듈’ 2개를 장착할 수 있어 총 64GB까지 D램 용량을 확장할 수 있다. 32GB DDR4 모듈 2개로 64GB를 구성한 노트북은 16GB 모듈 4개로 64GB를 구성하는 것보다...

D램

"2018년 전세계 반도체 시장 매출 7.5% 성장"

반도체 호황은 한풀 꺾일까, 아니면 좀 더 이어질까. 전문가들의 의견이 분분한 가운데 가트너가 반도체 시장 전망을 상향 조정했다. IT 자문기관 가트너는 2018년 전세계 반도체 시장 매출이 전년 대비 7.5% 상승한 4510억달러(약 480조원)에 이를 것으로 예측했다. 지난해 내놓은 반도체 시장 매출 전망치 4%에 비해 약 2배 정도 상향 조정된 숫자다. 벤 리 가트너 수석연구원은 “최근 몇 년 사이에 관측된 반도체 업체의 엇갈린 전망은 메모리 시장의 변동성이 매우 크다는 사실을 상기시켜 준다”라고 말했다. 2016년 하반기부터 지속된 메모리 분야의 호조는 올해까지 지속될 전망이다. 벤 리 수석연구원은 "가트너는 2018년 반도체 시장 매출 전망치를 지난 전망보다 236억달러 상향 조정했으며, 이 중 메모리 시장은 195억달러를 차지한다"라며 “특히 D램과 낸드플래시 메모리의 가격 인상이...

50나노

삼성전자, "용량 키우고 전력 소모 낮췄다" --- 4기가 DDR3 D램 개발

"용량은 키우고 전력은 최소량으로 소모한다." 삼성전자가 50나노급 공정 기술로 생산한 세계 최초 4기가비트 DDR3 D램을 한마디로 표현할 수 있는 말이다. 삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 가장 먼저 내놨다. 이로써 삼성전자가 보유한 50나노 D램 제품은 DDR3 4Gb, 2Gb, 1Gb, 512Mb와 DDR2 1Gb, 512Mb로 늘어나게 됐다. 삼성전자는 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었는데 이런 기술 우위를 지속적으로 가져갈 수 있게 됐다. 4기가비트 DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션과 데스크톱 PC용 8기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈...

50나노

삼성전자, 50나노급 2기가 DDR3 업계 최초 인텔 인증 획득

삼성전자가 50나노급 2기가비트(Gb: Giga bit) DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 발표했다. 이번에 인증된 제품은 2기가비트(Gb) DDR3 D램 단품(x8)과 PC용 4기가바이트(GB: Giga Byte) UDIMM (Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다. 또한 서버용 8기가바이트(GB)/16기가바이트(GB) RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가 중으로, 내년 초에 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 전 제품의 인증이 완료될 예정이다. 50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품의 인텔 인증은 삼성전자가 유일하며, 이는 D램 업체 중 가장 앞선 것으로, 기술의 우수성과 제품력의 우위를 확실하게 보여 주는 것이다. 50나노급 2기가비트 DDR3는 '07년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1,333Mbps)의 속도를 구현하고, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존...