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DDR5

삼성전자, DDR5 메모리 'EUV' 공정 적용

삼성전자가 D램에 극자외선(Extreme Ultra Violet·EUV) 공정을 적용한 양산 체제를 갖췄다. 삼성전자는 3월25일 EUV 공정에서 생산한 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개를 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다. 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄여 패터닝 정확도를 높이는 EUV 공정은 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다. EUV 공정의 4세대 10나노급(1a) D램은 12인치 웨이퍼당 생산성이 1세대 10나노급(1x) D램 대비 2배 높다. 경쟁사 대비 파격적인 가격 설정이 가능하다는 의미다. 삼성전자는 현재 개발 중인 EUV 공정의 10나노급(1a) D램 양산 기술을 차세대 D램 DDR5 생산에 적용한다는 계획이다. 내년 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동한다. 삼성전자 메모리사업부...

3세대 10나노

멀지 않은 미래 'DDR5'

현재 메모리 시장 주력 제품은 DDR4다. 국제 표준화 기구인 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 규격에 따라 DDR4 D램 속도는 1600-3200Mbps로 규정돼 있다. 주요 D램 업체인 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등은 최고 속도 DDR4-3200 D램을 출하하고 있다. 3200Mbps를 넘는 제품은 오버클록 메모리로 분류된다. 다음은 DDR5다. DDR4 공정이 '최종 진화' 단계에 들어서며 DDR5 메모리에 대한 기대감이 높아지고 있다. JEDEC이 DDR5 최종 규격 발표를 미루고 있지만 SK하이닉스와 삼성전자는 이미 일부 고객사들을 대상으로 DDR5 샘플 출하를 진행 중이다. 규격이 최종 제정되면 본격적인 양산은 올해 하반기가 될 것으로 업계는 예상하고 있다. 메모리 플랫폼이 DDR4에서 DDR5로 이동되는 만큼 CPU 제조사 인텔, AMD도 대응에 나선다. 인텔은 타이거레이크, AMD는...