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EUV

삼성, 평택에 파운드리 생산라인 구축...시스템 반도체 1위 노린다

삼성전자가 경기도 평택캠퍼스에 EUV(극자외선) 파운드리 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다. 초미세 공정 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 생산라인을 늘리는 것으로, 삼성전자는 시스템 반도체 분야 글로벌 1위를 위한 조치 중 하나라고 설명했다. 삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 라인을 본격 가동할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 올해 2월 EUV 전용 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 내년부터 평택 라인이 가동될 경우 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품 생산 규모는 더욱 빠르게 증가할 전망이다. 또 삼성전자는 생산성을 높인 5나노 제품을 올해 하반기에...

DDR5

삼성전자, DDR5 메모리 'EUV' 공정 적용

삼성전자가 D램에 극자외선(Extreme Ultra Violet·EUV) 공정을 적용한 양산 체제를 갖췄다. 삼성전자는 3월25일 EUV 공정에서 생산한 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개를 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다. 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄여 패터닝 정확도를 높이는 EUV 공정은 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다. EUV 공정의 4세대 10나노급(1a) D램은 12인치 웨이퍼당 생산성이 1세대 10나노급(1x) D램 대비 2배 높다. 경쟁사 대비 파격적인 가격 설정이 가능하다는 의미다. 삼성전자는 현재 개발 중인 EUV 공정의 10나노급(1a) D램 양산 기술을 차세대 D램 DDR5 생산에 적용한다는 계획이다. 내년 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동한다. 삼성전자 메모리사업부...