삼성전자가 평택캠퍼스 2라인을 본격 가동한다고 30일 밝혔다. 이곳에선 지난 2월 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3세대(1z) 10나노급 16기가바이트 LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.
2018년 착공 이후 2년 만에 가동에 들어가는 평택 2라인은 삼성전자가 평택에 세운 두 번째 공장이다. 연면적이 축구장 6개 크기인 12만8900㎡로 세계 최대 규모 반도체 생산라인이며, 향후 30조원 이상 대규모 투자를 통해 차세대 반도체를 생산한다.
평택 2라인에서 만들어질 대표적 제품은 1z 16Gb LPDDR5 모바일 D램이다. LPDDR은 저전력 기반 DDR램이며, LPDDR5는 5세대 이동통신(5G)에 최적화된 D램이라 평가받고 있다. 1z 16Gb LPDDR5 D램 양산은 지난 2월 만든 2세대(2y) 16Gb LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월만이다.
이번에 양산하는 모델은 극자외선(EUV) 미세공정을 활용해 기존 12Gb 모델보다 30% 얇으면서도 동작 속도가 16% 더 빨라졌다. 16Gb 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영상(5Gb) 약 10편에 해당하는 51.2Gb를 처리할 수 있다.
삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 만들고 있고 향후 출시될 5세대, 6세대 제품의 선행기술도 함께 개발 중이다. 당장 5G 스마트폰 시장을 선점할 수 있게 됨은 물론 향후 프리미엄 메모리 시장을 선도할 가능성도 열어놓은 것이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여할 것”이라 말했다.
