SK하이닉스는 7일 176단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발했다고 밝혔다. SK하이닉스는 이 제품을 솔루션화하기 위해 지난 11월 컨트롤러 업체에 샘플을 제공했다.
이번에 개발한 176단 낸드는 3세대 4D 제품이다. 웨이퍼당 생산 칩 수에서 이전 세대보다 35% 이상 향상됐고 2분할 셀 영역 선택 기술을 새롭게 적용해 셀(Cell)에서의 읽기 속도는 이전 세대보다 20% 빨라졌다. 또 공정 수 증가 없이 속도를 높일 수 있는 기술도 적용해 데이터 전송 속도는 33% 개선된 1.6Gbps를 구현했다.
낸드플래시는 층수가 높아지면서 셀 내부의 전류 감소, 층간 비틀림 및 상하 적층 정렬 불량(Stack misalignment)에 따른 셀 분포 열화 현상 등이 발생하게 된다. SK하이닉스는 ▲셀 층간 높이 감소 기술 ▲층별 변동 타이밍(Timing) 제어 기술 ▲초정밀 정렬(alignment) 보정 등 기술로 이를 극복했다.
SK하이닉스는 96단 낸드플래시부터 CTF(Charge Trap Flash)와 고집적 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 4D 제품을 시장에 선보이고 있다. 또 176단 4D 낸드 기반으로 용량을 2배 높인 1Tb(테라비트) 제품을 개발해 낸드플래시 사업 경쟁력을 높여 나갈 방침이다.
내년 중반에는 최대 읽기 속도 약 70%, 최대 쓰기 속도 약 35%가 향상된 모바일 솔루션 제품을 시작으로 소비자용 SSD와 기업용 SSD를 순차적으로 출시하는 등 응용처별 시장을 확대해 나갈 예정이다.
SK하이닉스 낸드개발 최정달 담당은 “낸드플래시 업계는 집적도 향상과 생산성 극대화를 동시에 달성하기 위해 기술 개발에 매진하고 있다”며 “SK하이닉스는 4D 낸드의 개척자로서 업계 최고의 생산성과 기술력으로 낸드플래시 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.