SK하이닉스가 20일 4세대 HBM D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 밝혔다. HBM(초고속 메모리·Hig Bandwidth Memory)은 다수의 D램을 수직으로 연결, 기존 D램보다 데이터 처리를 빠르게 끝낼 수 있는 고부가가치 제품이다.
보통 HBM은 기존 D램 패키징과 비교해 단가가 2~3배 이상 비싸고, 부피도 상대적으로 크다. 이 때문에 고성능 메모리를 필요로 하는 대규모 데이터센터(IDC) 혹은 슈퍼컴퓨터 등에만 적용된다. 적용 대상이 제한적인 탓에 시장 규모는 크지 않았다. 하지만 최근 데이터센터가 늘어나면서 HBM 시장 규모도 함께 커지고 있다.
SK하이닉스는 2013년 처음으로 HBM을 선보였다. 이후 2세대 HBM2를 거쳐 지난해 7월에는 3세대 제품인 HBM2E를 양산했다. HBM2E 양산 1년 3개월 만에 새로운 제품인 HBM3까지 공개했다. HBM 시장을 선도하고 있는 셈이다.
SK하이닉스는 HBM 시장 수요가 꾸준히 늘어날 것으로 기대하고 있다. 올해 반기보고서 내 회사의 경쟁력 부문에서도 “고성능 컴퓨팅 시스템 가속화를 위해 GDDR6/HBM2E 제품이 탑재된 고사양 제품 수요는 지속 증대될 것으로 전망된다”고 설명했다.
HBM3는 16GB와 24GB 2가지 용량으로 출시될 예정이다. SK하이닉스는 24GB 구현을 위해 TSV 기술을 활용했다. 단품 D램 칩을 약 30마이크로미터(μm) 높이로 갈아낸 후 칩 12개에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 각각의 칩 구멍을 수직으로 연결하는 방식이다.
이전 3세대 제품(HBM2E)과 비교해 처리 능력도 크게 개선됐다. HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리한다. FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 해결하는 수준이다. HBM2E와 비교하면 처리 속도가 약 78% 빨라졌다.
차선용 SK하이닉스 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.