▲ DB하이텍 부천공장.(사진=DB하이텍)
▲ DB하이텍 부천공장.(사진=DB하이텍)

글로벌 파운드리 10위 기업 DB하이텍이 5세대 이동통신(5G) RF프론트엔드 사업을 확대한다. 최근 수년 새 성숙공정 시장의 확대로 수익성이 크게 늘어난 가운데 5G 통신 기반 칩으로 사업을 확대하는 것으로 풀이된다.

DB하이텍은 12일 130나노미터(nm)·110nm 기술을 기반으로 RF SOI(Silicon-on-Insulator)와 RF HRS(High Resistivity Substrate) 공정을 확보해 RF프론트엔드 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 밝혔다.

DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 성숙 공정의 파운드리 서비스를 제공한다. 시장조사업체 트렌드포스(TrendForce)에 따르면 지난해 3분기 기준 파운드리 매출 시장점유율에서 DB하이텍은 2억8300만 달러로 10위에 올랐다.

RF(Radio Frequency는) 우리말로 방사주파수를 뜻하며 업계에선 통상 전자파를 이용한 무선장비들을 일컫는다. DB하이텍은 차세대 기술로 와이드 밴드를 지원하는 모바일 스위치용 RF공정을 5G에 맞게 개발해왔다.

RF프론트엔드는 안테나와 RF트랜시버(주파수를 기기에서 쓸 수 있도록 하는 기기) 사이 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 모든 구성요소를 합쳐 만든 모듈을 통칭한다. 오늘날 RF프론트엔드는 스마트폰과 사물인터넷(IoT) 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용된다.

▲ RF프론트엔드 구조.(자료=퀄컴 코리아 블로그 갈무리)
▲ RF프론트엔드 구조.(자료=퀄컴 코리아 블로그 갈무리)

DB하이텍은 RF프론트엔드에서도 스위치와 저잡음증폭기(LNA)에 집중한다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 온·오프하는 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달한다.

DB하이텍 측은 “기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다”고 설명했다.

DB하이텍은 자사 130nm 기반 RF SOI 공정은 스위치의 FOM(Figure of Merit)이 84fs, BV(Breakdown Voltage)가 4.4V로 세계 최고 수준의 성능을 보유했다고 자평했다. LNA는 기존 120GHz Cut-off frequency(Ft)까지 지원하고 올해 상반기 150GHz 이상의 제품도 지원할 계획이다.

110nm 기반 RF HRS (High Resistivity Substrate, >1Kohm) 공정에 DB하이텍은 가격경쟁력을 앞세웠다. 스위치의 FOM은 164fs이고 BV는 4.6V, 100GHz ft 성능을 가진 LNA 소자를 보유 중이다. 올해 상반기 150GHz 이상 LNA 제품 지원도 개발 중이다.

DB하이텍은 “팹리스 고객들이 RF프론트엔드 시장에 진입하도록 고객 지원에 나서고 있으며, 특히 고객사 개발비 절감을 위해 분기별로 멀티 프로젝트 웨이퍼 서비스(MPW)를 운영하고 있다”고 밝혔다.

DB하이텍에 따르면 RF프론트엔드 시장은 2019년 124억 달러(약 14조8000억원) 수준에서 2025년 217억 달러(25조8000억원) 수준까지 성장할 것으로 전망된다.

저작권자 © 블로터 무단전재 및 재배포 금지