SK하이닉스와 미국 마이크론으로부터 D램 메모리 반도체 시장에서 추격을 받고 있는 삼성전자가 2024년 최선단 D램 비중을 대폭 확대하며 대응에 나선다. 그동안 삼성전자의 전체 D램 생산량에서 10나노미터(㎚) 4세대(1b)와 5세대(5b)가 차지하는 비중은 경쟁사에 비해 크지 않았다.하지만 삼성전자는 지난해 역대급 메모리반도체 불황 속 굳건했던 설비투자를 바탕으로 좁혀진 초격차를 다시 벌리겠다는 각오다. 서버용 D램 시장 경쟁력 흔들삼성전자의 D램 시장에서의 위상이 흔들리고 있다. 삼성전자는 개인용컴퓨터(PC)와 서버, 모바일 등
인텔이 인공지능(AI) 성능에 힘을 준 신제품을 다수 선보였다. 차기 개인용컴퓨터(PC)용 중앙처리장치(CPU)인 '코어 울트라(메테오레이크)'와 서버용 CPU '제온 5세대(에메랄드래피즈)'가 주인공이다. 내년 중에는 AI 가속기인 '가우디3'도 출시할 예정이다.인텔의 AI 반도체에 들어가는 메모리, 반도체가 최종 탑재되는 PC 시장에서 삼성전자와 협력이 공고해지는 점도 눈에 띈다. 삼성전자 반도체(DS)부문은 더블데이터레이트(DDR)5와 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 등 차세대 메모리를 제온 5세대에 공급한다. 가우디3에 들어가는
삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 D램 시장 선점을 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 초반 승기를 잡은 건 SK하이닉스다. 내년 메모리반도체 시장 반등을 이끌 열쇠로 주목받는 고대역폭메모리(HBM)와 더블데이터레이트(DDR)5 등에서 삼성전자보다 높은 시장점유율을 확보했다. 삼성전자는 업계 선두권인 D램 선단 공정 경쟁력과 HBM에 연산 능력을 더한 차별화된 제품으로 추격에 나섰다.HBM은 인공지능(AI) 열풍과 함께 주목받는 차세대 D램이다. D램 여러 개를 수직으로 쌓아 성능을 높이는 동시에 소비전력을 대폭 줄였다. AI 연산은
삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 D램 규격인 DDR5로 전환에 속도를 내고 있다. 올해 초 DDR5와 호환되는 인텔 서버용 중앙처리장치(CPU)가 출시되며 교체 수요가 기대되는 상황에서 두 회사는 최첨단 5세대 D램 양산을 시작하며 DDR5 시장을 본격 확대할 계기를 마련했다. 고부가가치 제품을 중심으로 양산 준비를 마치고 내년 업황 반등시점에 시장을 선점하겠다는 포석이다.더블데이터레이트(DDR)는 D램이 정보를 주고받는 방식을 일컫는 규격이다. 지난 2000년 처음 DDR이 생산된 이후, 2020년 7월 국제반도체표준협의기구(JE
글로벌 반도체 주도권 경쟁이 치열해지는 가운데, 박정호 SK하이닉스 대표이사(부회장)이 한국 반도체의 경쟁력 유지를 위해 우수 인재 육성, 정부의 반도체 지원, 미래 기술 준비를 강조했다.박 부회장은 15일 서울 광화문 프레스센터에서 열린 한림대학교 도헌학술원 개원 기념 학술심포지엄에서 ‘AI 시대, 한국 반도체가 나아갈 길’을 주제로 기조 연설을 진행했다.최근 세계 각국은 글로벌 반도체 전쟁에서 이기기 위해 치열한 경쟁을 펼치고 있다. IT(정보기술) 기기의 진화에 있어 필수 부품인 메모리 반도체는 지속적으로 중요성이 커질 전망이
SK하이닉스가 24Gb(기가비트) DDR5 제품 샘플을 출하했다고 15일 밝혔다. 업계 최초다. SK하이닉스는 지난해 10월 처음으로 DDR5를 출시한 데 이어 1년 2개월 만에 단일 칩 기준 최대 용량 제품을 선보이게 됐다.DDR(Double Data Rate)은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭이다. DDR은 DDR-DDR2-DDR3-DDR4-DDR5 순으로 세대가 바뀌고 있다. 세대의 변화는 성능의 변화를 의미한다. DDR5 데이터전송속도는 3200~6400Mbps다. DDR4(1600~320
삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 14나노 D램 양산에 돌입했다고 12일 밝혔다. 삼성전자 관계자에 따르면 5개 레이어에 EUV 공정이 적용됐다. 2분기 콘퍼런스콜에서 설명했듯 확실한 ‘원가 절감’이 예상된다. D램은 회로선폭이 좁아질수록 웨이퍼당 생산성이 개선된다. EUV는 이 같은 미세공정에 적합하다. 기존 공정에 쓰이는 불화아르곤(ArF)보다 빛의 길이가 짧기 때문이다. 쉽게 말해 더 얇은 펜을 이용한 것처럼 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 그릴 수 있는 게 EUV의 특징이다. 자연스레 불필요한 공정 수는 줄어들고 생산성
숫자들(Numbers)로 기업과 경제, 기술을 해석해 보겠습니다. 숫자는 정보의 원천입니다. 정보는 누구에게나 공개되어 있고 숫자도 누구나 볼 수 있지만, 그 뒤에 숨어 있는 진실을 보는 눈은 누구나 가지고 있는 것이 아닙니다. 누구나 공감할 수 있도록 숫자 이야기를 로 쉽게 풀어보겠습니다. 코로나19라는 전 지구적 사태는 반도체 업계에 엄청난 수익을 안겨주고 있습니다. 특히 가장 높은 매출 비중을 차지하는 메모리 반도체는 창사 후 유례없이 많은 돈을 번 2017~2018년에 이어 또 한 번의 ‘슈퍼사이클’이 시작됐다는 평
삼성전자는 25일 누전을 줄여 전력 효율을 끌어올린 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 밝혔다. 공정이 미세화함에 따라 트랜지스터에서 생기던 누전 문제를 해소한 게 특징이다. 이 제품엔 '하이케이 메탈 게이트'(High-K Metal Gate·HKMG)로 명명된 공정이 적용됐다. HKMG 공정은 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질(High-K·하이케이)을 적용한 것을 뜻한다.D램은 트랜지스터와 캐패시터로 구성된다. 캐패시터는 전하를 저장하며, 트랜지스터는 캐패시터의 입구를 여닫
SK하이닉스가 6일 세계 최초로 DDR5 D램을 출시한다고 밝혔다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등에 최적화된 초고속, 고용량 제품이다.SK하이닉스는 2018년 11월 16Gb DDR5를 세계 최초로 개발한 이후 인텔 등 주요 파트너사들에게 샘플을 제공해 다양한 테스트와 동작 검증, 호환성 검증 등을 모두 완료했다고 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 향후 DDR5 시장이 활성화되면 언제든 제품을 판매할 수 있게 됐다.SK하이닉스의 이 제품은 전송 속도가 이전 세대인 DDR4의 3200Mbps 대비 48
삼성전자가 D램에 극자외선(Extreme Ultra Violet·EUV) 공정을 적용한 양산 체제를 갖췄다. 삼성전자는 3월25일 EUV 공정에서 생산한 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개를 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다.회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄여 패터닝 정확도를 높이는 EUV 공정은 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다. EUV 공정의 4세대 10나노급(1a) D램은 12인치 웨이퍼당 생산성이 1세대 10나노급(1x) D램 대비 2배 높다. 경쟁사 대비