SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. EUV 공정 적용을 공식화한 이래 채 1년도 되지 않아 제품 양산에 성공한 것이다.
10나노대 D램에서 1a는 4세대 기술로 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이은 차세대 방식이다. SK하이닉스는 이 D램에 처음으로 극자외선(EUV) 노광 공정을 적용했다. 새 제품은 이전 세대 대비 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량(생산성)이 약 25% 향상됐다.
반도체 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에서 미세한 패터닝을 얼마나 정확히 그리느냐는 제품 성능의 핵심이 되고 있다. 기존 장비인 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF)에 비해 EUV는 10배 이상 더 미세한 패터닝을 가능하게 해준다는 점에서 선도 기술로 평가받는다.
SK하이닉스 측은 “앞서 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다”라고 “EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다”고 말했다.
1a 기술이 적용된 새 모바일 D램은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다. 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. SK하이닉스는 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에도 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.
조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장(부사장)은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 밝혔다.