삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 14나노 D램 양산에 돌입했다고 12일 밝혔다. 삼성전자 관계자에 따르면 5개 레이어에 EUV 공정이 적용됐다. 2분기 콘퍼런스콜에서 설명했듯 확실한 ‘원가 절감’이 예상된다.
D램은 회로선폭이 좁아질수록 웨이퍼당 생산성이 개선된다. EUV는 이 같은 미세공정에 적합하다. 기존 공정에 쓰이는 불화아르곤(ArF)보다 빛의 길이가 짧기 때문이다. 쉽게 말해 더 얇은 펜을 이용한 것처럼 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 그릴 수 있는 게 EUV의 특징이다. 자연스레 불필요한 공정 수는 줄어들고 생산성은 높아진다. 삼성전자와 SK하이닉스가 EUV를 D램에 적용하는 이유다.
이번 삼성전자의 14나노 D램 양산 소식이 눈에 띄는 건 ‘5개 레이어’에 EUV를 적용했기 때문이다. 현재 업계에서는 보통 1개 레이어에 EUV를 적용하고 있다. 실제 SK하이닉스도 2분기 콘퍼런스콜 기준 1a D램 1개 레이어에만 EUV를 도입한 상태다.
레이어: 반도체는 여러 층의 회로가 합쳐 종합적으로 작동하는데요. 각 층을 레이어라고 부릅니다. 다층 레이어에 EUV를 적용하려면 상당한 기술력이 필요하다는 게 업계의 평가입니다.
5개 레이어 EUV 적용으로 확실한 원가 절감이 전망된다. 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난 2분기 콘퍼런스콜에서 “1개 레이어에 EUV를 적용한 15나노에서 이미 원가 크로스가 이뤄졌다. 5개 레이어에 EUV를 적용한 14나노에서는 원가 감소 폭이 훨씬 확대될 것으로 예상된다”고 밝혔다.
삼성전자는 이날 언론 배포 자료에서도 “14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다”고 설명했다. 소비 전력도 기존 공정 대비 20% 개선됐다고 덧붙였다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장은 이번 양산을 두고 “기술 혁신으로 반도체 미세 공정 한계를 극복해 왔다. 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며 “고용량, 고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다”고 강조했다.